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Global Insulated Gate Bipolar Transistor (Igbt) Market Analysis 2019 STMicroelectronics, Rohm, Fujitsu, Fuji Electric, Toshiba - Market News Magazine

Global Insulated Gate Bipolar Transistor (Igbt) Market Analysis 2019 STMicroelectronics, Rohm, Fujitsu, Fuji Electric, Toshiba  Market News MagazineOur reports have a realistic aspect attached to it due to some of the finely tuned realistic concept mentioned in a simple and plain manner. The “Insulated Gate ... (詳細へ) »
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クルマの電動化を加速、東芝がIGBTの高精度で高速なシミュレーションモデル – 日経xTECH

クルマの電動化を加速、東芝がIGBTの高精度で高速なシミュレーションモデル  日経xTECH東芝デバイス&ストレージは、クルマの電動化などで利用されるパワー半導体である、IGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)・IEGT(電子注入促進型IGBT)の回路 ...... (詳細へ) »
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Global Insulated Gate Bipolar Transistor (Igbt) Market Growth 2019 – STMicroelectronics, Rohm, Fujitsu, Fuji Electric, Toshiba - Industry News Focus

Global Insulated Gate Bipolar Transistor (Igbt) Market Growth 2019 – STMicroelectronics, Rohm, Fujitsu, Fuji Electric, Toshiba  Industry News FocusOur reports have a realistic aspect attached to it due to some of the finely tuned realistic concept mentioned in a simple and plain manner. The “Insulated Gate ... (詳細へ) »
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Global Insulated Gate Bipolar Transistor (Igbt) Market Outlook 2019 – STMicroelectronics, Rohm, Fujitsu, Fuji Electric, Toshiba - Industry News Focus

Global Insulated Gate Bipolar Transistor (Igbt) Market Outlook 2019 – STMicroelectronics, Rohm, Fujitsu, Fuji Electric, Toshiba  Industry News FocusThe global “Insulated Gate Bipolar Transistor (Igbt)” market research report offers all the vital data in the Insulated Gate Bipolar Transistor (Igbt) domain. (詳細へ) »
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日立が次世代IGBTを進化、損失さらに3割減 – 日経テクノロジーオンライン

日立が次世代IGBTを進化、損失さらに3割減日経テクノロジーオンライン日立製作所は、同社従来品に比べてスイッ&# (詳細へ) »
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「これは大きな変化」、日立が低損失な新構造のIGBT - 日経テクノロジーオンライン

「これは大きな変化」、日立が低損失な新構造のIGBT日経テクノロジーオンライン日立製作所は、新しいIGBT構造を「ISPSD 2016」で発表した。同社従来品に比べて、スイッチング時の損失を低減できるのが特徴である。スイッチオン、スイッチオフする際に生じる電力損失を、いずれもおよそ3割削減できる。新構造を採用したIGBTを搭載した、耐圧1.7kVで定格 ...and more » (詳細へ) »
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